ارائه مدار تمام جمع کننده یک بیتی کم مصرف و سریع بر پایه ترانزیستورهای اثر میدانی نانو لوله کربنی
محل انتشار: سومین کنفرانس ملی و اولین کنفرانس بین المللی پژوهش هایی کاربردی در مهندسی برق، مکانیک و مکاترونیک
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 510
فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ELEMECHCONF03_0720
تاریخ نمایه سازی: 9 مرداد 1395
چکیده مقاله:
با توجه به اینکه موضوع مصرف توان یک بخش مهم در مدارات حسابگر امروزی می باشد و در تجهیزات قابل حمل تاثیر زیادی دارد و از طرفی با پیشرفت تکنولوژی، شاهد افزایش نمایی جریان نشتی و در نتیجه مضرف بالای توان استاتیک می باشیم، در این مقاله مدار یک بیتی تمام جمع کننده کم مصرف با سرعت سوئیچینگ بالا بر پایه ترانزیستورهای اثر میدانی نانو لوله کربنی (CNTFET) و با بهره گیری از سلول Gate diffusion input(GDI) طراحی و نسبت به مدار جمع کننده تمام مجتمع مقایسه نموده ایم. مدار پیشنهادی در دماها و ولتاژهای مختلف با استفاده از شبیه ساز HSPICE مدل Stanford و با در نظر گرفتن تکنولوژی CNT 32nm شبیه سازی شده اند. با توجه به نتایج شبیه سازی مدار پیشنهادی در ترم های توان مصرفی، سرعت و PDP ( حاصلضرب ماکزیمم تاخیر و توان ) نشبت به کار قبلی بهبود چشمگیری دارد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
اسما ترک زاده ماهانی
دانشجوی کارشناسی ارشد، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه آزاد اسلامی واحد کرمان
پیمان کشاورزیان
عضو هیئت علمی دانشگاه آزاد اسلامی کرمان
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :