مدل مداري جديد در تكنولوژي CMOS استاندارد براي بررسي و تحليل گذراي حافظه هاي فلش  Fulltext 

[ پويا كمالي نژاد ] - دانشكده برق و كامپيوتر دانشگاه تهران
[ محمدرضا قادري ] - دانشكده برق و كامپيوتر دانشگاه تهران
[ محمد مقدم تبريزي ] - دانشكده برق و كامپيوتر دانشگاه تهران
[ بهجت فروزنده ] - دانشكده برق و كامپيوتر دانشگاه تهران

خلاصه مقاله:

در اين مقاله روش طراحي و تحليل مداري سلول هاي حافظه فلش در تكنولوژي m0/18 تك پلي سيلكين ارائه مي گردد. مدل ارائه و حالت گذرا را بدون نياز به صرف زمان طولاني شبيه سازي ارائه مي دهد. براي محاسبه dc شده تطابق قابل توجهي از نظر نقطه كار ولتاژ گيت شناور، روش آ يينه ج ريان ايده آل به همراه روش ولتاژ گيت كنتر لي ارائه مي گردند. به اين ترتيب امكان شبيه سازي يك سلول حافظه فلش در يك ش بيه ساز مدا ري مثلSPICE فراهم مي گردد. در اين روش بر اي اعمال حالت ه اي نوشتن/پاك كردن رابطه تونل ز نيFowler-Nordheim مورد استفاده قرار مي گيرد. همچنين استفاده از يك منبع ولتاژ وابسته به ولتاژ در اين مدل باعث افز ايش دقت شده و ارائة روش ج ديد نوشتن / پاك كردن حافظه، عدم ورود تران زيستورها به ناحيه تريود را در حين اين فرايندها تضمين ميكند.

استاندارد CMOS حافظه فلش، ولتاژ گيت شناور، مدل مداري