بررسی کاهش گاف انرژی در نیمه هادیTiO 2 بوسیله ی دوپ کردن فلزات واسطه به منظور افزایش بازده آن در جذب مرئی انرژی خورشید برای فعالیت های فتوکاتالیستی به روش محاسبات کوانتومی
محل انتشار: اولین کنگره سالیانه جهان و بحران انرژی
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,715
فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ACWEC01_078
تاریخ نمایه سازی: 8 آذر 1394
چکیده مقاله:
نیمه هادی TiO2باگاف انرژی زیاد 3.23 فقط قادر به جذب امواج پرانرژی فرابنفش خورشید برای تولید انرژی است همین مسئله باعث بازده پایین این نیمه هادی درتولید انرژی میشود دراین پژوهش فلزات عناصرروی نیمه هادی TiO2 دوپ شدند گاف انرژی TiO2 خالص و دوپ شده به روش محاسبات کوانتومی DFT محاسبه شد عناصردوره ی پنجم جدول تناوبی یک دوره پایین تر ازعنصرTi گاف انرژی را مقدارکمتری کاهش دادند عناصر هم دوره ی Ti کاهش بیشتری درگاف انرژی داشتند بهترین عنصرv بوده که بهصورت چشمگیری ازEV 3.23 به ev2.84 گاف انرژی راکاهش داد این پژوهش نشان داد که Tio2 که باعنصرv دوپ شده میتواند نورمرئی خورشید را جذب کند و بازده تولید انرژی رابالا ببرد
کلیدواژه ها:
نویسندگان
رویا جعفری
دانشگاه علم و صنعت، تهران
الناز عیسی پور
دانشگاه علم و صنعت، تهران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :