CMOS در ضرب کننده های جریان ، CCII

سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 793

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

AEBSCONF01_124

تاریخ نمایه سازی: 6 آبان 1393

چکیده مقاله:

در این مقاله یک مدار ضرب کننده CMOS مد جریان چهار ربعی با استفاده از نسل دوم حامل جریان به صورت الکترونیکی (Electronically CCII) پیشنهاد شده است. استفاده از حامل اختلاف جریان دیفرانسیلی (DDCC) بر مبنای تقویت کننده های لگاریتمی- آنتی لگاریتمی پایه و اساس این طراحی می باشد. از مزایای مدار پیشنهادی، پایداری حرارتی بسیار خوب، ساختار ساده و استفاده از تکنولوژی CMOS نسبت به مدارات مشابه در این زمینه می باشد. شبیه سازی با کمک نرم افزار PSPISE با استفاده از پارامترهای Cmos با تکنولوژی 0.5 um نیز کارکرد ساختار پیشنهادی را تایید می کند.

کلیدواژه ها:

سلول ضرب کننده ، نسل دوم حامل جریان ، حامل جریان: CCII ، حامل اختلاف جریان دیفرانسیلی ، DDCC

نویسندگان

میلاد عسکری

دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا، فسا، ایران

احمد رضا رمضان پور

دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا، فسا، ایران