بررسی جفتشدگی موجبرها در جداکننده توان بلور فوتونیک

در این مقاله یک جداکننده توان جدید در بلورهای فوتونی دو بعدی پیشنهاد می کنیم که می تواند برای مدارهای مجتمع فوتونیکی قابل استفاده باشد. مکانیزم شکافت توان پیشنهادی مثل جفت کننده های جهتی سه موجبری است و از جفت شدگی میان حالت های هدایت شده به وسیله موجبرهای نقص خطی استفاده می کند موجبر ورودی به یک تصویر دارای دو تاخوردگی (دوموجبر بالا و پایین) تقسیم می شود. با استفاده از روش FDTD یک جداکننده توان بلورهای فوتونیکی طراحی شده است. ایجاد منطقه جفت شدگی در ساختار بلور فوتونیکی باعث می| شود که موج در این منطقه جفت شود و به موجبر بالا و پایین منتقل شود و میزان موج عبوری تقریبا برابری را در دو خروجی B,A شاهد باشیم. و از این طریق می توان میزان عبور را در شاخه ورودی کم کرد و موج را به موجبرهای بالا و پایین با میزان عبوری تقریباً مساوی انتقال دااد.

کلیدواژه ها:

بلور فوتونیک ، روش FDTD ، موجبر ، جفت شدگی ، جداکننده توان ، نقص نقطه ای و خطی ، نظریه مد جفت شده گذار