نانو تکنولوژی دریکسوکننده نیم موج با دقت بالا در مد جریان دوگانه با توان مصرفی پایین مورد استفاده در مدارت آشکارساز

این مقاله یک یکسوکننده نیم موج با دقت بالا در مد جریان خروجی دوگانه با استفاده از تکنولوژی ساختcmos 180 نانومتر ارائه می دهد که باولتاژ پایین 1± کار می کند. در مدارات آشکارساز نیاز به توان مصرفی پایین و ایعاد تراشه کوچک مورد نیاز می باشد. استفاده از تکنولوژی نانو ما رابه این امر مهم می رساند. همه ترانزیستورها در ناحیه اشباع کار می کنند. این مدار سیگنال سینوسی ورودی را دریافت می کند و سیگنال نیم موج خروجی را در فرکانس بالا و مد جریان یکسو می کند. ساختار اصلی این مدار متشکل از مدار معکوسکنندهcmos دو منبع جریان آیینهای میباشد. نتایج شبیه سازی با استفاده از نرم افزارHSPICEمورد تائید است. مدار پیشنهادی دارای پهنای باند50MHZمی باشد جریان ورودی درحدود100μAتوان مصرفی 21 پیکووات محاسبه شده است.

کلیدواژه ها:

مدار یکسوکننده ، نیم موج ، دقت بالا ، فاز دوگانه ، توان پایین