ارائه یک مدل رانش- نفوذ برای محاسبه جریان تاریک آشکارساز نوری PIN

در این مقاله، جریان تاریک آشکارساز نوریPIN را با استفاده از یک مدل رانش- نفوذ شبیه سازی می کنیم. مدل ارائه شده به ازای ولتاژ بایاس های کم تطابق خوبی با روابط تقریبی و تحلیلی دارد اما به دلیل پوشش ندادن پدیده یونیزاسیون برخوردی به ازای ولتاژهای بایاس قوی خطای قابل توجهی دارد. برای شبیه سازی ماده GaAs را انتخاب می کنیم و از روش گامل برای حل دسته معادلات پیوستگی غلظت حامل، جریان حامل و پواسون کمک می گیریم. نتایج بدست آمده از مدل ارائه شده را با روابط تقریبی مقایسه می کنیم تا درستی کارکرد آن را ارزیابی کنیم..

کلیدواژه ها:

آشکارساز نوری pin ، شبیه سازی عددی ، روش دریفت-دیفیوژن