تحلیل دو بعدی پتانسیل کانال در ماسفت دو گیتی با گیت دو ماده ای

در این مقاله یک مدل دو بعدی برای توزیع پتانسیل ماسفت دو گیتی با گیت دو ماده ای با ترکیب روش تقریب چند جمله ای Parabolic Approximation و روش تحلیل مد ناپایدار Evanescent Mode در حالت کلی به دست آمده است. مدل ارائه شده پتانسیل را در همه نقاط کانال ترانزیستور در اختیار می گذارد و برای ترانزیستورهای با طول کانال بلند و کوتاه قابل استفاده می باشد. همچنین با استفاده از مدل مطرح شده، می توان پتانسیل کانال را برای ساختارهای متقارن و نامتقارن به دست آورد. پتانسیل سطحی نیز از رابطه به دست آمده قابل استخراج می باشد. مقایسه مدل مطرح شده با مدلهای موجود و نتایج تحلیل نرم افزاری دقت مناسب آن را نشان می دهد.

کلیدواژه ها:

ماسفت دو گیتی ، گیت دو ماده ای ، پتانسیل سطحی