طراحی و شبیه سازی تقویت کننده توان برای استفاده در رادارهای آرایه فازی

تقویت کننده های توان یکی از بخش های مهم سیستم های مخابراتی و بخش اصلی تقویت کننده های حالت جامد را تشکیل می دهند.از کاربردهای مهم آنها رادارهای آرایه فازی و رادارهای نظامی باقابلیت تفکیک بالا در باند فرکانسی (8-12GHz) X میباشد.رادارهای آرایه فازی از جدیدترین و پیشرفته ترین نوع رادارهای نظامی و صنعتی است و اساسی ترین تفاوت آن با رادارهای متداولنسل گذشته نحوه اسکن الگوی تشعشعی است. در این رادارها به جای گردش آنتن رادار امواج به چرخش درمی آیند. در طبقهخروجی این رادار تقویت کننده های توان قرار دارند که توان و راندمان آنها در عملکرد سیستم بسیار مهم است زیرا توان بالاترمحدوده بیشتر جستجو را سبب می شود و راندمان بالاتر باعث میشود در ادوات متحرک مانند هواپیما مدت بیشتری بتوان از اینرادارها بهره برد. در این مقاله یک تقویت کننده توان بالا در کلاس E بر روی زیر لایه گالیوم نیتراید طراحی گردیده و نتایج آن در (Advanced Design System (ADS 2014 شبیه سازی شده و با استفاده از ترکیب کننده / تقسیم کننده توان ویلکینسون توان 10 ترانزیستور باهم ادغام شده و در خروجی توان بالای 51dbm و PAE بالاتر از 60% به دست آمده است.

کلیدواژه ها:

X Band Power Amplifier ، Wilkinson Power Divider ، GaN substrate ، Class E