مدلسازی جریان درین ترانزیستور MOSFET بر حسب ضخامت لایه اکسید گیت
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 912
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
BPJ02_279
تاریخ نمایه سازی: 11 آبان 1395
چکیده مقاله:
بررسی تاثیر تغییر ضخامت اکساید گیت بر روی جوانب عملکردی MOSFET می تواند دید الگوی مناسبی در زمینه طراحی المان های ترانزیستوری ارائه دهد. علاوه بر tV، oxC نیز به ضخامت اکساید وابسته است. در این مقاله ابتدا به بررسی ولتاژ آستانه و رابطه آن با ضخامت اکساید پرداخته خواهد شد. سپس رابطه جریان درین بر حسب ضخامت اکساید خواهد شد. مدل بدست آمده رابطه ایی خواهد بود بین جریان درین - سورس و ضخامت اکساید گیت. نتیجه حاصل یک رابطه غیر خطی و سهمی گون بین جریان درین و ضخامت اکساید را نشان می داد. به منظور اطمینان صحت مدل بدست آمده و بررسی دقیق تر، پارامترهای یک MOSFET به صورت کمی طراحی شد. این MOSFET به کمک نرم افزار COMSOL شبیه سازی شد، مدل بدست آمده نیز با نرمافزار MATLAB به صورت عددی تحلیل شد. در نهایت داده های خروجی با هم مقایسه شدند که صحت مدل ریاضی بدست آمده را تایید می کرد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
مسعود پورغلام
دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی برق الکترونیک، دانشگاه صنعتی نوشیروانی بابل
بهرام عزیزالله گنجی
دانشیار و عضو هیات علمی دانشکده مهندسی برق، دانشگاه صنعتی نوشیروانی بابل،
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :