بررسی نظریه نقطه خازن لمسی و نشت NRI خازن و نقش میدان تغذیه الکترومغناطیسی در قلم های S-pen به همراه ارائه پیشنهادات کاربردی

سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 521

فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

BPJCEE01_130

تاریخ نمایه سازی: 6 اسفند 1395

چکیده مقاله:

نظریه نقطه خازن لمسی و نشت NRI خازن تحولی در عرصه سخت افزاری فناوری صفحه نمایش ها ایجاد کرده است. اما بسیاری از عناصر دارای حداقل هدایت برای جریان تعریف شده توسط واپایشگر نیستند و استفاده را برای کاربر بدون استفاده از قلم دیجیتال با محدودیت هایی روبرو کرده است. در واقع S Pen پیشرفته ترین تکنولوژی وسایل ورودی را دارد و قابلیت هایی مثل تنظیم حساسیت فشاری، دقت، سرعت و ... را یکجا و به صورت هماهنگ با نرم افزارهای اصلی فبلت ارائه می کند تا تجربه ی کار با فبلت را بهبود بخشد. در این مقاله با ساختار، تغذیه و طریقه ارتباط این قلم ها با صفحه نمایش خازنی بررسی شده است. همچنین مزایا، چالش های پیش رو و پیشنهاداتی جهت کاربردی کردن این فناوری با ارائه اطلاعات فنی و تجربی بیان شده است.

نویسندگان

کیمیا فیروزی

دانشگاه آزاد اسلامی، واحد شیراز، گروه برق، شیراز، ایران

حسین زارع

دانشگاه آزاد اسلامی، واحد شیراز، گروه برق، شیراز، ایران

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :