تهیه لایه های نازک نانوبلورهای ZnS به روش لایه نشانی رشدمحلول: مورداستفاده درسلولهای خورشیدی

دراین تحقیق چگونگی ساخت لایه های نازک نانوبلوری روی سولفید باروش لایه نشانی رشدمحلول SGD روی زیرلایه ی شیشه ای مورد بررسی قرارگرفت دراین روش ازتری اتیل آمین به عنوان عامل کمپلکس دهنده و تیواستامید به عنوان منبع گوگرد استفاده گردید انالیز داده های XRD نمونه ها نشان میدهد که نانوبلورهای ZnS تهیه شده ساختارمکعبی دارند تصاویرFE-SEM بدست امده ازنمونه ها نشان میدهد که دانه بندی ذرات فیلم یکنواخت و متراکم است انالیز eDX نشان میدهد که فیلم های ZnS تهیه شده نیمه رسانای نوع n بود هاست

کلیدواژه ها:

لایه های نازک ، روی سولفید ، نانوبلور ، لایه نشانی رشدمحلول ، نیمه رسانا