محاسبه ساختارنوارهای انرژی وچگالی حالت های نانوسیمInP به روش شبه پتانسیل
محل انتشار: دومین همایش سراسری کاربردهای دفاعی علوم نانو
سال انتشار: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 850
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
BSNANO02_214
تاریخ نمایه سازی: 9 بهمن 1392
چکیده مقاله:
دراین مقاله باتوجه به نظریه تابعی چگالی و حل معادلات کوهن شم با استفاده ازپایه های موج تخت به محاسبه ویژگیهای الکترونی ازجمله ساختارنوارهای انرژی و چگالی حالت های نانوسیم InP پرداخته شده است نتایج بدست امده نشان میدهد که نوارهای انرژی سطح فرمی را قطع نکرده و دارای یک گاف انرژی به اندازه 1/49 eV می باشد که سازگاری خوبی با نتایج تجربی دارد
کلیدواژه ها:
نویسندگان
حمدا... صالحی
دانشگاه شهیدچمران اهواز
حسین طولابی نژاد
دانشگاه شهیدچمران اهواز
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :