تاثیرفونون های اپتییک و زبری لبه برمشخصات انتقالی ورسانایی نانونوارهای گرافین

سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 612

فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

BSNANO03_013

تاریخ نمایه سازی: 9 بهمن 1392

چکیده مقاله:

درمقاله فعلی تاثیرهمزمان زبری لبه و فونون های اپتیکی برانتقال و رسانایی الکترون ها درنانونوارگرافین آمرچیر AGNR بررسی شده است برای انجام شبیه سازی ازتابع گرین غیرتعادلی NEGF بهعنوان ابزاری قدرتمندبرایمحاسبات افزاره های نانومتری استفاده شده است برای محاسبه هامیلتونی ازروش همبستگی سخت بادرنظرگرفتن اتم های درهمسایگی اول و سوم استفاده شده است سه نوارمختلف دارای زبری کم زیادوبدون نقص درشبیه سازی مورد بررسی قرارگرفته اند نتایج نشان میدهد که پراکندگی ناشی اززبری لبه و فونون های اپتیکی باعث کاهش ضریب عبور درننونوارهای گرافینی با عرض کم میشود اعمال همزمان هردوسازوکارپراکندگی باعث کاهش بیشتری درضریب عبورنسبت بهریک ازسازوکارها به تنهایی خواهد شدشبیه سازی ها نشان میدهد مکانیزم غالب پراکندگی برای انرژی های بالاتر از1/8الکترون ولت ناشی ازفونون های اپتیکی می باشد که به شدت انتقال و هدایت الکترون ها را تحت تاثیرقرارمیدهد

نویسندگان

حسین آخوندعلی

دانشگاه شهید بهشتی تهران

آرش یزدان پناه

دانشگاه شهید بهشتی تهران

محمدجواد شریفی

دانشگاه شهید بهشتی تهران

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • Novoselov K.S. et al., 2004. "Electric Field Effect in Atomically ...
  • Schedin F. et al., 2007. "Detection of individual gas molecules ...
  • Han M., ? zyilmaz, B., Zhang, Y., Kim P, 2007 ...
  • Evaldsson, M., Zozoulenko, I. V., Xu, H., ...
  • Heinzel, T, 2008. _ _ Edge-di sorderinduced anderson localization and ...
  • Murali, Y., Yang, R. 2010 "Impact of Size Effect on ...
  • Gunlycke D., White, C. T. 208. "Tight-Binding Energy Descriptions of ...
  • Lichtenberger, P., Morandi O. Schirrer, F, 2011. "High-field transport and ...
  • Dehdashti Akhavan, N., Jolley, G., Umana- Membreno, G. A., Antoszewski, ...
  • Zhao P., Guo, J, "Modelling Edge Effects in GNR FET ...
  • Fathipour, M., Kosina, H., Selberherr, S, 2011. " An Analytical ...
  • Limited Mobility of Graphene Nanoribbons, " IEEE TRANSA CTIONS ON ...
  • 1]Yazdanpanah, A., Pourfath, M., Fathipour, M., Kosina, H., Selberherr, S, ...
  • Svizhenko, M. P., Anantram, A, 2007. ...
  • _ Multi dimensional modelling of nanotrans istors, _ IEEE Trans. ...
  • Sancho, M. P., Rubio, J. M., Rubio, L, 1985. "Highly ...
  • Dehdashti Akhavan, N., Jolley, G., Umana- Membreno, G. A., Antoszewski, ...
  • nanoribbon field effect transistors using full three dimensional quantum mechanical ...
  • Nikonov, D. E., Salahuddin, S., Yoon, Y, 201 1. "Role ...
  • method with real space approach, " Applied Physics Letters, vol. ...
  • Poljak, M., Song, E. B., Wang, M., Suligoj, T., Wang, ...
  • Nanoribbons, _ IEEE Transactions on Electronic Devices, vol. 59, no. ...
  • نمایش کامل مراجع