مطالعه ابتدابه ساکن توپولوژی چگالی بارالکترونی درنانوسیمMnAs تحت تنش طولی
محل انتشار: سومین همایش سراسری کاربردهای دفاعی علوم نانو
سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 760
فایل این مقاله در 20 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
BSNANO03_120
تاریخ نمایه سازی: 9 بهمن 1392
چکیده مقاله:
دراین پروژه به مطالعه ابتدابه ساکن نمونه ای فلزی که درصنایع اسپین ترونیک نانوالکترونیک و نانوترانزیستور حائز اهمیت است پرداخته ایم کلیه محاسبات درچارچوب نظریه تابعی چگالی DFT میباشند وبرای انجام پروژه ازکدهای محاسباتی WIEN2kوCRITIC استفاده شده است محاسبات توپولوژی توسط کدCRITIC که برپایه چگالی بارالکترونی بدست امده ازکدمحاسباتی WIEN2k می باشد انجام شده است مطالعات پروژه براساس روش توپولوژی چگالی بارالکترونی به عنوان یک میدان اسکالر درسه بعدصورت گرفته است این مطالعات ازمنظر رفتارتوپولوژی چگالی بارالکترونی ساختارMnAs درفاز هگزاگونال تحت تنش طولی درطولهای مختلف دربخش نانوسیم ماده انجام شدها ست دراین پروژه ابتدا نانوسیم را تحت تنش طولی قرارمیدهیم نقطه گسیختن نانوسیم باتغییرات ناگهانی درکمیت های توپولوژیکی و همچنین خارج شدن ازرفتارکشسانی باتغییرات محسوس دررفتارتوپولوژی همراه است دراین پروژه همچنین به معرفی روش محاسبه مدول یانگ درنانوسیم MnAs ومقداربدست امده مدول یانگ نیز اشاره شده است
کلیدواژه ها:
نویسندگان
جلال رضی خوشکاروندانی
مجتمع مسکونی هوانیروزاصفهان
علیرضا نقوی
اصفهان خ هزارجریب کوی شهیدخسروپوردرب پاتاق مجتمع مسکونی
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :