شبیه سازی و تحلیل مودهای هدایت شده در ساختار باند انرژی فوتونیک کریستالی

در این مقاله به طراحی ساختار سلول واحد فوتونیک کریستالی می پردازیم که مود هدایت شده با شیبملایم تری نسبت به قبلی (بهادری و غیور، 2013) دارد و همچنین دارای باند ممنوعه بهتری است. این سلولواحد از نیم رسانای GaAs در محیط دی الکتریک هوا است. باند های انرژی این سلول واحد را با هفت و پنجباند رسم کرده ایم و درستی انتخاب باند ممنوعه را با انتشار میدان الکتریکی در سلول واحد نشان می دهیم.در این سلول واحد خاصیت نور کند را مشاهده می کنیم. این سلول واحد برای یک سوئیچ نوری استفاده میشود که ما انتشار نور را در یک سلول واحد فوتونیک کریستالی نشان می دهیم.

کلیدواژه ها:

مود هدایت شده ، باند ممنوعه ، فوتونیک کریستال