مدل ولتاژ آستانه ی ماسفت های سیلیکون روی الماس با یک لایه عایق اضافی

در این مقاله ولتاژ آستانه ی یک ساختار UTB SOD کانال کوتاه با یک لایه عایق اضافی مدل شده است. لایه ی عایق اضافیبر روی لایه ی عایق الماس قرار گرفته و بطور جزئی آن را می پوشاند، این لایه عایق گذردهی الکتریکی کمتری نسبت بهالماس دارد و می تواند SiO2 باشد. حداقل پتانسیل سطحی گیت جلو/پشت بدنه ی سیلیکونی به ترتیب برای تعیین ولتاژآستانه ی کانال جلو و کانال پشت بکار می رود، و مقدار کوچکتر بین ولتاژ آستانه ی کانال جلو و کانال پشت بعنوان ولتاژآستانه ی قطعه شناخته میشود، در واقع در این ساختار ولتاژ آستانه برابر با ولتاژ گیت جلو/پشت است در صورتی کهحداقل پتانسیل سطحی گیت جلو/پشت برابر با (Ψ(b می شود، که (Ψ(b اختلاف بین تراز فرمی غیرذاتی در ناحیه ی کانال وتراز فرمی ذاتی است، ولتاژ آستانه در این ساختار تقریبا مشابه با ولتاژ آستانه در Re S/D SOI است.

کلیدواژه ها:

سیلیکون روی عایق ، Novel SOD ، ولتاژ آستانه ، معادلات پواسون دوبعدی