Plasmonic pin-photodiode in InGaAsP layer stack
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 475
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CBCONF01_0518
تاریخ نمایه سازی: 16 شهریور 1395
چکیده مقاله:
In this article the photocurrent response of a novel ultra-small on-chip InP-based plasmonic pin-photodiode is analyzed at optical communication wavelength of 1.55 μm. When light propagates along a hybrid plasmonic InP-based waveguide, it couples to the plasmonic pin-photodiode and absorbs in the InGaAs absorption layer to generate photocurrent. The InP/InGaAsP pin-photodiode is optically simulated utilizing a three dimensional finite difference time domain (FDTD) method. The photo-response characteristics of InP-based photodiode, which depends on device structure parameters and biasing operation conditions, are discussed. Theoretical analysis for calculating 3 dB bandwidth as a function of device geometry is then presented. An internal quantum efficiency of 95% and a 3-dB bandwidth of over 70 GHz is determined for a 1.5 μm long and 1 μm wide device.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
Mahmoud Nikoufard
Department of Electronics, Faculty of Electrical and Computer Engineering, University of Kashan, Kashan, Iran
Fatemeh Bidgoli Joushaghani
Department of Electronics, Faculty of Electrical and Computer Engineering, University of Kashan, Kashan, Iran
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :