Increasing of Swing in Design of Three Input Majority-not Gate in 65nm CMOS Technology
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 537
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CBCONF01_0663
تاریخ نمایه سازی: 16 شهریور 1395
چکیده مقاله:
This paper presents a three input majority-notgate based on change of switching threshold voltage in inverterand two new designs for increasing of swing in it. Two newdesigns cause output voltage swing to increase and supply voltageconsumption to decrease. Therefore is provided better noisemargin. Low power consumption, high swing and suitable noisemargin at the output are targeted in implementation of ourdesigns. Proposed majority-not gate and two new designs aresimulated by Hspice using the 65nm CMOS technology. Resultscompare with previous designs and create better noise marginthan past.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
Manijeh Alizadeh Messgar
Young Researchers and Elite Club Central Tehran Branch, Islamic Azad University Tehran, Iran
Behjat Forouzande
ECE University of Tehran Tehran, Iran
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :