مدلسازی رفتار سنسور دمای میکروالکترومکانیکی به روش المان محدود

در سال های اخیر سنسورهای میکروالکترومکانیکی مبتنی بر میکروکانتیلور کاربردهای وسیع و گسترده ای را درصنایع مختلف به خود اختصاص دادهاند. یکی از این سنسورها ، سنسور دمای مبتنی بر میکروکانتیلور می باشد که بانیروی الکترواستاتیکی تحریک می شود. در این تحقیق به منظور شناخت رفتار و عملکرد این سنسور ، اثرات افزایش ولتاژبر روی مقدار جابجایی ، زاویه خمش و تنش ون میزز ایجاد شده در سازه مذکور به روش المان محدود مدلسازی شد. نتایجمدلسازی نشان می دهد که با اعمال ولتاژ 2.5V، مقدار جابجایی 0.84um بوده و ماکزیمم تنش ون میزز 1.2MPaدر میکروکانتیلور ایجاد می شود. مقایسه تنش مذکور با مقدار تنش تسلیم جنس میکروکانتیلور (15MPa) نشان ازطول عمر بالای این میکروسنسور دارد.

کلیدواژه ها:

سنسورهای برپایه میکروکانتیلور ، مدلسازی المان محدود ، تنش ، نیروی الکترواستاتیکی