Effects of Graded Index SCH Layers on DC Characteristics and Frequency Response of Single Quantum Well Transistor Laser
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 476
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CBCONF01_0887
تاریخ نمایه سازی: 16 شهریور 1395
چکیده مقاله:
In this paper, effects of using graded index separateconfinement heterostructure (GRIN-SCH) on dc and accharacteristics of single quantum well transistor is investigated.Simulation parameters including, electron transit time, minorityelectron mobility and optical confinement factor are calculated fornew structure. Due to using graded index layers of AlGaAs,instead of GaAs, in left side of QW, cut-off frequency of TransistorLaser (TL) increases to 33 GHz for 20 % aluminum mole fraction.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
Mohammad Hosseini
Photonics Research Laboratory, Electrical Engineering Department, Amirkabir University of Technology, Tehran, Iran
Hassan Kaatuzian
Photonics Research Laboratory, Electrical Engineering Department, Amirkabir University of Technology, Tehran, Iran
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :