بررسی و شبیه سازی تأثیر تغییرات زمان، دما و ناخالصی بر پارامترهای اکسیداسیون

سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,546

فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

CCE01_040

تاریخ نمایه سازی: 12 شهریور 1392

چکیده مقاله:

این مقاله پارامترهای اکسیداسیون را مورد بررسی قرار می دهد که در ساخت سلولهای خورشیدی و سایر انرژی های نو دارای کاربرد زیادی است. سیلیکون (Si) در میان مواد نیمه هادی منحصربه فرد است چون سطح آن به سادگی می تواند توسط یک لایه اکسید ((SiO(2) پوشانده شود. اگر چه سیلیکون مادهای نیمههادی است اما دیاکسید سیلیکون یک ماده عایق محسوب میشود که از سیلیکون و یا لایه های زیرین در مقابل واکنشهای شیمیایی و فیزیکی در فرآیند ساخت جلوگیری میکند. این خاصیت یک فاکتور مهم در تکنولوژی سیلیکون است. ضخامت لایه اکسید در فرآیند ساخت به عوامل متعددی وابسته است. در این مقاله تأثیر همزمان عوامل دما، زمان و ناخالصی اولیه توسط نرم افزار Silvaco مورد بررسی قرار گرفته و نتایج بدست آمده با نتایج محاسبات تجربی و روابط موجود مقایسه میگردد. نتایج برای هر دو نوع اکسیداسیون تر و خشک بیان میشود. در این مقاله شرایط لازم برای رسیدن به ضخامت های اکسید مختلف را برای شرایطی که سیلیکون بدون ناخالصی و تحت دماهای متفاوت و نیز شرایطی که دارای ناخالصی فسفر و بوران و تحت دماهای مختلف شبیه سازی و نتایج با محاسبات مقایسه و مورد بررسی قرار می گیرند.

نویسندگان

عبدالنبی کوثریان

گروه مهندسی برق، دانشکده مهندسی، دانشگاه شهید چمران، - اهواز، پژوهشکده آب و انرژی جندی شاپور

مهدی رضوانی وردوم

گروه مهندسی برق، دانشکده مهندسی، دانشگاه شهید چمران، - اهواز، پژوهشکده آب و انرژی جندی شاپور

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • _ _ _ B Journal , Elsevier Journal, pp 5156-5158, ...
  • Sohal, R.; Walczyk, C.; Zaumseil, P.; Wolansky, D.; Fox, A.; ...
  • Nakamura, T.; Ogawa, T.; Hosoya, N.; Adachi, "Effects of thermal ...
  • _ _ JOURNALS , vol.94, pp. 083108 _ 083108-3, 2009 ...
  • Esteve, R. ;Schoner, A.; Reshanov, S .A.; Zetterling, C .-M.; ...
  • Oh, Se-Ho; Choi, Yearm-Ik; Kwon, Young-Se; Kim, Choong-Ki. "Etched profiles ...
  • Chen, W.B.; Chin, A."High Performance of Ge nMOSFETs Using SiO, ...
  • _ _ _ _ films" Wear Journal , Elsevier Jourmal, ...
  • نمایش کامل مراجع