بهینه سازی جدب در سلول خورشیدی CGS و CIGS پنج لایه با تغییر عنصر گالیم، تغییر چگالی حالت های نقص و تغییر اندازه نانو میله ها

در این مقاله ابتدا یک سلول خورشیدی لایه نازک Se2 Cu(In,Ga با ساختار 3 لایه ارائه شده و با شبیه سازی سلول 5 لایه و کاهش عنصر گالیم به مقدار صفر توسط نرم افزار WXAMPS توانسته ایم به سلول CGS با بازده 32% برسیم. کمیت های مهم جریان اتصال کوتاه، ولتاژ مدار باز و ضریب انباشت مورد مطالعه قرار گرفته و افزایش جریان، ولتاژ و راندمان قابل توجه است. در ضخامت بهینه یرای لایه جاذب CIGS، , سه میکرومتر به ازای باندگاف 1.25eV مقادیر نوعی ff= 83.89 Effi =25%، Voc= 0.77 V، Jsc =38.71( mA /cm² و در سلول CGS ا ,ff= 84.66 Effi =32 ، Voc= 0.97 V، Jsc =38.76( mA /cm² به دست آمده است.

کلیدواژه ها:

بازده ، سلول خورشدی CIGS ، باند گاف ، حالت های نقص ، نانو میله