بررسی تاثیر ضخامت و دمای زینتر لایه دی اکسید تیتانیوم بر عملکرد سلول خورشیدی حساس شده با رنگدانه

سلول های خورشیدی حساس شده با رنگدانه که در گروه سلول های خورشیدی نسل سوم قرار دارند، به علت سهولت ساخت و بازده بالا توجه زیادی را به خود جلب کرده اند. به منظور بررسی تاثیر دمای زینتر کردن فتوآند بر ساختار لایه دی اکسید تیتانیوم و عملکرد سلول خورشیدی مبتنی بر آن، فتوآندهای یکسان در دمای 350، 450 و 550 درجه سانتیگراد زینتر شدند. بررسی طیف جذب فرابنفش-مرئی، تصویر میکروسکوپ الکترونی روبشی و مشخصات جریان-ولتاژ نمونه های مختلف نشان می دهد بهترین دمای زینتر کردن 450 درجه سانتیگراد است. برای بررسی اثر ضخامت لایه دی اکسید تیتانیوم بر عملکرد سلول خورشیدی حساس شده با رنگدانه 4 فتوآند با ضخامت های 6، 11، 16 و 19 میکرون به روش پوشش دهی چرخشی تهیه شدند. با افزایش ضخامت از 6 به 16 میکرون جریان مدار کوتاه و بازده به علت افزایش جذب رنگدانه و طول انتقال الکترون مناسب افزایش یافتند. افزایش ضخامت از 16 به 19 میکرون سبب کاهش جریان مدار کوتاه و بازده شد.

کلیدواژه ها:

سلول خورشیدی حساس شده با رنگدانه ، ضخامت لایه دی اکسید تیتانیوم ، دمای زینتر کردن ، جذب رنگدانه ، جریان مدار کوتاه