شبیه سازی جبران کاهش جریان ناشی ازحذف بازتاب سطحی نوردرسلول خورشیدی به کمک مدل دریفت - دیفیوژن

هدف ازاین تحقیق ابتدا افزایش دقت چگالی جریان یک سلول خورشیدی سیلیکنی pn ازطریق اعمال بازتاب سطحی نوردرمعادله نرخ تولید الکترون حفره می باشد که درمطالعات گذشته ازاین ترم صرفنظر می شده است و سپس جبران سازی کاهش جراین ناشی ازآن ازطریق افزودن پوشش ضدبازتاب به سیستم مذکور می باشد ابتدا یک سلول خورشیدی pn تحلیل و شبیه سازی شد سپس درمعادله نرخ تولید الکترون ـ حفره اثربازتاب سطحی نورورودی وارد شده و باردیگر سلول خورشیدی تحلیل و شبیه سازی گردید شبیه سازی ها با استفاده ازمدل دریفت دیفیوژن یک بعدی درنرم افزار MATLAB انجام و هردو بازترکیب نوری وغیرنوری درنظر گرفته و معادلات دریفت دیفیوژن با روش گامل حل شدند اما ازانجا که حذف فوتونهای منعکس شده سطحی ازمعادله نرخ تولید باعث کاهش چگالی جریان سلول می شد یک پوشش ضدبازتاب برای تله گذاری نوردراین سلولطراحی و شبیه سازی گردید نتایج شبیه سازی ها نشان داد که با حذف فوتونهای منعکس شده سطحی تحلیل دقیقتر چگالی جریان یک سلول خورشیدی مورد تایید است و افزودن پوشش ضدبازتاب برای جبرانسازی کاهش چگالی جریان ناشی ازاعمال بازتاب نوردرمعادله نرخ تولید روشی موثر می باشد.

کلیدواژه ها:

پوشش ضدبازتاب ، چگالی جریان ، سلول خورشیدی ، مدل دریفت ـ دیفیوژن ، نرخ تولید