بررسی عملکرد ترانزیستورهای اثرمیدانی نانولوله کربنی CNFETs بارویکردی برروشهای بهینه سازی و کاربرد آن درمقایسه با cmos سیلیکانی

دراین مقاله ابتدا مروری مختصربرتزانزیستورهای نانولوله کربنی CNT خواهیم داشت و سپس به بررسی روشهای بهینه سازی آن خواهیم پرداخت ویژگیهای DC,AC ترانزیستورهای CNFET و بررسی مشخصه های CNFET دردمای بالا نیز نشان داد که برخلاف MOSFET ها جریان زیراستانه دریان قطعات با دما کاهش می یابد بنابراین با استفاده ازCNFET ها دردمای بالا میتوان سرعت بیشتر و نشت کمتر جریان را به دست آورد فرایندهای سنتز جریان CNT ها کامل نیستند یکی ازمباحث جنجالی دراین حوزه وجود نوسان چگالی دررشد CNT است و همچنین تحلیلی ازاعتبار CNFET به دلیل اینکه نوسان چگالی CNT می تواند منجر به شکست کامل CNFET شود بنابراین به بررسی این موضوع نیز پرداخته خواهد شد ودراخر کاربردهای CNFET و مقایسه آن با CMOS با استفاده ازتازه ترین گزارشات ازمدارهای منطقی CNFET را ارایه کرده و یک مبدل دیجیتال به انالوگ DAC فرمان جریان 10 بیتی با استفاده ازCNFET را نیز معرفی خواهیم کرد

کلیدواژه ها:

سدشاتکی ، CNFET ، CNT وDensity Fluctuations