سلول خورشیدی تک پیوندی مبتنی برمواد GaAs با ساختاراصلاح یافته نوین
محل انتشار: کنگره ملی مهندسی برق، کامپیوتر و فناوری اطلاعات
سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 874
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CECIT01_656
تاریخ نمایه سازی: 14 شهریور 1392
چکیده مقاله:
دراین مقاله ساختارلایه و ناخالصی یک سلول خورشیدی تک پیوندی جدیدی مبتنی بر AlxGa1-xAs/GaAs را بررسی و تحلیل نمودها یم دراین ساختاریک لایه BSF (back surface field جدید معرفی نموده تاثیر این لایه و لایه بافر BUF را برعملکرد این سلوله شبیه سازی نموده ایم که نشان دهنده افزایش 3.7درصد دربازده تبدیل و افزایش سایر پارامترهای سلول همچون ولتاژ مدارباز جریان اتصال کوتاه و توان ماکزیمم آن می گردد.
کلیدواژه ها:
سلول خورشیدی تک پیوندی مبتنی برموادGaAS ، لایه ی BSF (back surface field)
نویسندگان
محمود نیکوفرد
دانشگاه کاشان
مجتبی پورموسی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران جنوب
ابوذر اسماعیلی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران جنوب
جواد کرمدل
دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران جنوب
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :