طراحی و ساخت دستگاه DCPECVD جهت رشد عمودی و موازی نانولوله های کربنی

در این تحقیق پس از ساخت دستگاه پوشش دهی بخار شیمیایی با پلاسمای جریان مستقیم (DCPECVD) و تکمیل قسمت های مختلف آن از جمله مدارات الکترونیکی ، سیستم حرارتی و خلا ٕ ، از آن برای رشد نانولوله های کربنی استفاده شده است . ابعاد محفظه450× 540 میلی متر مربع و خلا زمینه آن حدود 5torr - 2 ×10می باشد . به کمک این دستگاه و با تولید یک پلاسمای جریان مستقیم با ولتاژ180 ولت و جریان 50 میلی آمپر بین کاتد ( زیر لایه در دمای o C 750 و آند که در فاصله 6 میلی متری از آن قرار دارد و با ورود گازهای هیدروژن و استیلن نانولوله هایی عمودی و موازی رشدداده شدند .