اثرآماده سازی زیر لایه بررشد نانولوله های کربن باروش بخاردهی شیمیایی

در این کار پژوهشی رشد نانولوله های کربن با روش بخار دهی شیمیایی حرارتی یا ) Thermal Chemical vapor deposition ) TCVD به واسطه تجزیه گاز استیلن ) ) C2H2 وبااستفاده ازترکیب گازهای متفاوتی مانند آمونیاک ) ) NH3 و هیدروژن ) ) H2 دردمای 800 0 C صورت گرفته است . تاثیرآماده سازی زیر لایه مانند تاثیر دماهای مختلف اکسیداسیون ،وهمچنین دماهاوزمانهای متفاوت احیاء برای رشد نانولوله های کربن بررسی می شود . برای این منظور لایه نازکی ازکاتالیست نیکل رابا روش لایه نشانی پرتو یونی ) ) ion beam sputtering برروی زیر لایه سیلیکونی می نشانیم . C2H2 به عنوان منبع کربن، و مخلوط گازآمونیاک وهیدروژن را جهت خوردگی سطح و جزیره سازی کاتالیست مورد استفاده قرار می گیرند . اندازه گیری ضخامت لایه اکسیدی با دستگاه طیف نگار جرمی یون ثانیه یا SIMS و برای بررسی نحوه رشد و مشخصات نانولوله های کربن از دستکاه میکروسکوپ الکترونی روبشی یا SEM وطیف سنجی رامان استفاده می کنیم . طبق نتایج بدست آمده مشخص شده است که پیش اماده سازی زیر لایه جهت رشد نانولوله های کربنئ امری الزامی است