بررسی ترابری الکترون ها در نیمرسانای InP , AlP در میدان های الکتریکی ضعیف
محل انتشار: نهمین کنفرانس ماده چگال
سال انتشار: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,408
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CMC09_010
تاریخ نمایه سازی: 6 دی 1387
چکیده مقاله:
در این مقاله تحرک پذیری الکترون ها در حد میدان های الکتریکی ضعیف باشد. (E <105 N/m) بررسی شده و با حل مستقیم معادله ترابری بولتزمن به روش تکرار وابستگی آن به دما و چگالی الکترون ها در دو نیمرسانای AlP و InP مقایسه شده است. در محاسبه تحرک پذیری، آهنگ پراکندگی از فنون های اکوستیکی، پیزوالکتریک، اتم ناخالصی یونیده و فونون های اپتیکی قطبی برای یک نوار رسانش غیر سهموی با توابع موج ترکیبی در نظر گرفته شده است محاسبات نشان می دهد که تحرک پذیری الکترون ها در دماهای بالا کاهش می یابد که علت آن شروع فرآیند های پراکندگی فونونی پویژه پراکندگی ناشی از فونون های اپتیکی قطبی می باشد در حالیکه در دماهای پایین اثر غالب در کاهش تحریک پذیری ناشی از پراکندگی از مراکز ناخالصی یونیده می باشد.
نویسندگان
هادی عربشاهی
گروه فیزیک، دانشگاه فردوسی مشهد
سپیده گل افروز شهری
گروه فیزیک دانشکده تربیت معلم سبزوار