ساختار الگترونیکی نقاط کوانتومی خود سازمان InAs/GaAs با شکل ها و اندازه های مختلف

سال انتشار: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 2,428

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

CMC09_175

تاریخ نمایه سازی: 6 دی 1387

چکیده مقاله:

در این مقاله برای مطالعه وابستگی توابع موج و حالت های الکترونیکی نقاط کوانتومی InAs/GaAs به تغییرات اندازه و شکل نقاط کوانتومی، یک مدل سه بعدی فرمولبندی می شود. شکل های QD مورد بررسی مکعب، استوانه ای و هرمی می باشد و مدل ارائه شده برای بررسی ساختار الکترونیکی بر پایه تقریب جرم موثر و به روش بسط موج تخت است. نتایج محاسبات نشان دهنده تاثیرات زیاد شکل و اندازه QDs بر ساختار الکترونی آن ها می باشد.

نویسندگان

هاجر کاویانی باغبادرانی

پژوهشکده فیزیک کاربردی و ستاره شناسی دانشگاه تبریز