Nanostructures and Nanochemistry at Surfaces and Interfaces
محل انتشار: دومین کنفرانس نانوساختارها
سال انتشار: 1386
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 1,313
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CNS02_003
تاریخ نمایه سازی: 11 اردیبهشت 1389
چکیده مقاله:
I present some few novel aspects of nanoscience for silicon carbide surfaces and interfaces that are investigated by near field scanning probes microscopy/spectroscopy using electrons and/or photons, and synchrotron radiation-based photoelectron spectroscopies. It includes the i) formation of an active massively parallel architecture based on Ag/Si nanowires exhibiting a negative differential resistance behavior, ii) deuterium- induced SiC surface metallization with an amazing isotopic effect and iii) selective formation of very thin nitride layer at Si/SiC interface.
کلیدواژه ها:
“Passive/active massivelly parallel architectures” ، “negative differential resistance” ، “silicon carbide” ، Dinduced semiconductor surface metallization” ، “atom-resolved scanning tunnelling microscopy/spectroscopy (electrons/photons)” ، “synchrotron radiation-based photoelectron spectroscopies”
نویسندگان
Patrick G Soukiassian
Département de Physique, Université de Paris-Sud, ۹۱۴۰۵ Orsay Cedex
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :