High-Field Drift Velocity Limitation in Quasi-2D Nanostructures (1D Quantum Limit)
محل انتشار: دومین کنفرانس نانوساختارها
سال انتشار: 1386
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 3,212
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CNS02_189
تاریخ نمایه سازی: 11 اردیبهشت 1389
چکیده مقاله:
The computation of ultimate drift velocity based on the asymmetrical distribution function for quasi-2D nanostructure and 1D quantum limit device has been revealed. The drift velocity is found to be ballistic that converts randomness in zero-field to streamlined one in a very high electric field. The limitation is due to appropriate thermal velocity in non - degenerately doped device that increases with the temperature. However, for degenerately doped device, the limitation is due to the Fermi velocity that increases with carrier concentration but independent of the temperature. The theory developed can be applied for an appropriate drain-current expression in 2D inverted channel of ballistic silicon nano-transistor.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
Ismail Saad,
Faculty of Electrical Engineering, University Technology of Malaysia
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :