نقش تغییرات حرارتی بر عملکرد ترانزیستورهای اثر میدانی نانو لوله کربنی در دو ساختار n-i-nوp-i-n در محدوده بالستیک
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 742
فایل این مقاله در 13 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
COMCONF01_040
تاریخ نمایه سازی: 8 آذر 1394
چکیده مقاله:
ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی، به عنوان جایگزینی شناخته شده برای ترانزیستورهای سیلیکونی، در سال های اخیر به شدت مورد توجه پژوهشگران و مراکز معتبر علمی بوده اند .در نتیجه، بررسی عملکرد آنها و وابستگی آن به پارامترهای افزاره همواره یکی از زمینه های مورد توجه بوده است .در این مقاله برای اولین بار تأثیر دمای محیط، بر عملکرد افزاره در قطرهای متفاوت برای دو ساختار p-i-n و n-i-n در محدوده انتقال بالستیک بررسی میشود .نتایج شبیه سازی نشان میدهد که افزایش دمای محیط و قطر نانولوله، هر دو، سویینگ زیرآستانه را به شدت خراب خواهند کرد و باعث افزایش جریان نشتی خواهند شد؛ با افزایش دما در هر دو ساختار ترارسانایی افزاره تا حدودی کاهش مییابد؛ اما هدایت خروجی با افزایش قطر نانولوله بهبود خواهد یافت؛ با این وجود در ساختار p-i-n ، ترارسانایی بهبود نشان میدهد .مهمترین نکته استفاده از ترانزیستور p-i-n شیب زیرآستانه بهتر نسبت به ساختار n-i-n در بازه دمایی بیشتر است که آن را برای ساخت مدارات منطقی با مصرف توان ایستای کمتر مناسب میسازد
کلیدواژه ها:
نویسندگان
شاهین قربانی زاده شیرازی
دانشگاه رازی دانشکده مهندسی دپارتمان مهندسی برق
غلامرضا کریمی
دانشیار دانشگاه رازی دانشکده مهندسی دپارتمان مهندسی برق
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :