ورود
مقالات فارسیISIکنفرانسهاژورنالها

بررسی خازن MOS با مقاومت بالا

محل انتشار: کنفرانس بین المللی یافته های نوین پژوهشی درمهندسی برق و علوم کامپیوتر
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 773

فایل این مقاله در 10 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:
https://civilica.com/doc/404297

شناسه ملی سند علمی:

COMCONF01_192

تاریخ نمایه سازی: 8 آذر 1394

چکیده مقاله:

به مرور زمان و در طی سال های گذشته سیلیکون با مقاومت زیاد به عنوان بسترهای نوید بخش برای مدارات مجتمع فرکانسهای رادیویی و کاربردهای چند سیگنالی، پیش بینی شده است وبا بررسی بسترهای سیلیکونی و رفتار فرکانس خازن ماس به این نتیجه رسیدیم که بسترهای با مقاومت بالا برای کاربرد های فرکاس بالا مناسب می باشد

کلیدواژه ها:

نویسندگان

هستی عباسی

کارشناسی ارشد گروه برق دانشکده فنی و مهندسی واحد کرمانشاه دانشگاه آزاد اسلامی کرمانشاه ایران

صمد قلندری

کارشناسی ارشد گروه برق دانشکده فنی و مهندسی واحد کرمانشاه دانشگاه آزاد اسلامی کرمانشاه ایران

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • D. Lederer, C. Desrumeaux, F. Brunier and J.-P. Raskin, "High ...
  • V.Kilchytska, D. Levacq, D. Lederer, J.-P.Raskin, D. Flandre, "Substrate Effects ...
  • D. Lederer and J.P. Raskin, _ Substrate Passivation Method Dedicated ...
  • K.B. Ali, C.R. Neve1, _ Gharsallah, J.-P. Raskin "Efficient Polysilicon ...
  • J.A. Luna-Lopez, M. Aceves-Mij ares, O. Malik and R. Glaenzer, ...
    • نمایش کامل مراجع