محاسبه ضریب جذب فوتون درنقاط کوانتومی دایره ای تک لایه و دولایه بکاررفته بعنوان جاذب نور
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 816
فایل این مقاله در 20 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
COMCONF01_592
تاریخ نمایه سازی: 8 آذر 1394
چکیده مقاله:
امروزه بکارگیری گرافن وساختارهای نانوی آن درصنعت الکترونیک و الکترونیک نوری توسعه زیادی پیدا کرده است یکی ازمهمترین ساختارهای گرافن نقاط کوانتومی گرافنی است که بعنوان جاذب نور خواص بسیارممتازی دارد بکارگیری این ساختار درشاخه های مختلف الکترونیک باعث شده تامقالات و رساله های زیادی درخصوص تحلیل این ساختارنوشته شود دراغلب موارد نقاط مذکور بشکل مثلثی و یا شش ضلعی باشرایط مرزی زیگزاگ و دسته صندلی فرض میشوند درعمل باتوجه به ساختارخاص این نقاط دایره ای فرض میشوند تاکنون نقاط کوانتومی دایره ای تک لایه مورد بررسی و تحلیل قرارگرفته اند قصد اصلی مادراین مقاله محاسبه ضریب جذب برای این نقاط می باشد نتایج نیز مورد ارزیابی قرارگرفته است
کلیدواژه ها:
نویسندگان
شهریار تمندانی
دانشجوی دکتری برق الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات
غفار درویش
دکتری برق الکترونیک عضو هیئت علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :