بهبود مدارات فشرده ساز در ضرب کننده ها با استفاده از ترانزیستورهای فین فت
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 894
فایل این مقاله در 13 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
COMCONF01_712
تاریخ نمایه سازی: 8 آذر 1394
چکیده مقاله:
در این مقاله کارایی مدار کمپرسور یک ساختار افزاره چند گیتی ) FinFET ( با ساختار تک گیتی سنتی ) MOSFET ) مقایسه میشود.ابتدا به مدل سازی و شبیه سازی تمام جمع کننده 82 ترانزیستوری CMOS و فین فت با تکنولوژی 28 نانو متر با نرم افزار HSpice پرداختیم؛سپس اقدام به شبیه سازی فشرده ساز 2:8 با استفاده از طرح پیشنهادیمان کردیم و برای مقایسه بهتر فشرده ساز 2:8 را با استفاده از ترانزیستورهای ماسفت نیز پیاده سازی نمودیم و مشاهده شد کهفشرده ساز 2:8 پیشنهادی مبتنی بر فین فت از علمکرد بالایی نسبت به نمونه CMOS برخوردار بوده و در عین حال بطور چشمگیری تعداد ترانزیستورها کاهش یافته است.
نویسندگان
نرگس فیضیان
دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی برق الکترونیک دانشگاه لرستان
عباس رمضانی
استاد برق الکترونیک دانشگاه لرستان
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :