بهبود مدارات فشرده ساز در ضرب کننده ها با استفاده از ترانزیستورهای فین فت

سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 894

فایل این مقاله در 13 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

COMCONF01_712

تاریخ نمایه سازی: 8 آذر 1394

چکیده مقاله:

در این مقاله کارایی مدار کمپرسور یک ساختار افزاره چند گیتی ) FinFET ( با ساختار تک گیتی سنتی ) MOSFET ) مقایسه میشود.ابتدا به مدل سازی و شبیه سازی تمام جمع کننده 82 ترانزیستوری CMOS و فین فت با تکنولوژی 28 نانو متر با نرم افزار HSpice پرداختیم؛سپس اقدام به شبیه سازی فشرده ساز 2:8 با استفاده از طرح پیشنهادیمان کردیم و برای مقایسه بهتر فشرده ساز 2:8 را با استفاده از ترانزیستورهای ماسفت نیز پیاده سازی نمودیم و مشاهده شد کهفشرده ساز 2:8 پیشنهادی مبتنی بر فین فت از علمکرد بالایی نسبت به نمونه CMOS برخوردار بوده و در عین حال بطور چشمگیری تعداد ترانزیستورها کاهش یافته است.

کلیدواژه ها:

نویسندگان

نرگس فیضیان

دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی برق الکترونیک دانشگاه لرستان

عباس رمضانی

استاد برق الکترونیک دانشگاه لرستان

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • King T.-J. FinFETs for nanoscale CMOS digital integrated circuits. Computer- ...
  • Huang X., Lee W.-C., Kuo C., Hisamoto D., Chang L, ...
  • Z. Wang, G. A. Jullien, and W. C. Miller, A ...
  • Manoj Kumar, Sandeep K. Arya, Sujata Pandey, Single bit full ...
  • Farid Moshgelani, Dhamin Al-Khalili, and C6me Rozon, Ultra-Low Leakage Arithmetic ...
  • Kumar, S.; Kumar, M., 4-2 Compressor Design with New XOR-XNOR ...
  • نمایش کامل مراجع