مدلسازی اثر انتقال حامل با استفاده از معادلات نرخ در وکسل با ساختار چاه کوانتمی

سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 452

فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

COMCONF01_747

تاریخ نمایه سازی: 8 آذر 1394

چکیده مقاله:

در این مقاله، ما اثر انتقال حاملها در ساختار چاه کوانتمی ناحیه فعال یک وکسل AlGaAs/GaAs را مدلسازی میکنیم. باحل عددی معادلات نرخ، چگالی فوتونها و تراکم حاملها را در لایههای چاه کوانتمی ولایهی SCH را محاسبه و اثر پارامترهای مختلف را بر مشخصات استاتیک و دینامیک لیزر را بررسی میکنیم

نویسندگان

بهجت خادمی

دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک،دانشکده برق،دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد

محمدرضا شایسته

هیات علمی ،دانشکده برق ،دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • Zhao, B. Yariv, A. (1999) ;:Quantum well _ emiconductor S ...
  • . Mirass , C. R p. (1996), Garcia Femandez, IEE ...
  • Masoller , C. (1996), opt.common. 128 , 363. ...
  • Sargent III , M., Scully, M. O., and Lamb, W. ...
  • Iga , K., . Koyama, F. and Kinoshita, S. (1988).Surface ...
  • Carlson, N. W., Evans, G. A., Bour, D. P.(1990) .et ...
  • .sale, T.E.(1995).cavity and reflector design for vertical cavity surface emitting ...
  • _ Gholami, Asgar. (2007) .optimization of complex components of moems ...
  • نمایش کامل مراجع