فرمول تحلیلی تغییرات ولتاژ آستانه در ترانزیستور سیلیکون روی الماس دو لایه
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 989
فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
COMCONF01_833
تاریخ نمایه سازی: 8 آذر 1394
چکیده مقاله:
با اضافه کردن یک لایه عایق نازک دوم روی اکسید سیلیکون در لایه الماس در روش SOD میزان خازن حاشیه ای)پارازیتی(کاهش می یابد.هنگامی که این لایه دوم باعث افزایش DIBL می شود اثر حرارت درونی یک رسانایی گرماییکمی را در لایه اکسید سیلیکون به وجود می آورد.ترانزیستور سیلیکون روی الماس با عایق دو لایه ] 1[ هیچ کدام از معایب افزایش اثرات خودگرمایی و افزایش اثرات کانال کوتاه را ندارد.در واقع این ساختار پیشنهاد شده است تا اثرات کانال کوتاهترانزیستور سیلیکون روی الماس را کاهش دهد.در این ترانزیستور با توجه به عرض ناحیه عایق رویئن ، ولتاژ آستانه تغییرمی کند.چگونگی این تغییرات نیازمند ارائه یک روش تحلیلی می باشد که به طور دقیق وابستگی ولتاژ آستانه به عرض عایق رویئن را نشان می دهد.در این مقاله ما به بررسی این موضوع می پردازیم.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
معصومه احمدیان
دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد
آرش دقیقی
دانشگاه شهرکرد
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :