بررسی تکنیکهای Bulk-driven و DTMOS در طراحی مدارات تقویت کننده های عملیاتی ولتاژ و توان پایین
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,221
فایل این مقاله در 11 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
COMCONF01_837
تاریخ نمایه سازی: 8 آذر 1394
چکیده مقاله:
در این مقاله به بررسی تکنیکهای Dynamic Threshold voltage MOSFET (DTMOS) وBulk-Driven به منظور طراحی مدارات مجتمع آنالوگ ولتاژ و توان پایین پرداخته شده است. دو تکنیک ارائه شده برایطراحی تقویت کننده عملیاتی ولتاژ و توان پایین در ناحیه زیر آستانه جهت کاربردهای پزشکی با ولتاژ کاری 4.0 ولت مورد استفاده قرار گرفته است. تقویت کننده عملیاتی در تکنولوی TSMC 0.18μm CMOS طراحی و شبیه سازیشده است. با استفاده از تکنیک DTMOS بهره حلقه باز 26.66 دسیبل، پهنای باند بهره واحد 2.6 کیلوهرتز، حاشیه فاز 56.8 درجه و توان مصرفی 96.3 نانو وات می باشد و با استفاده از تکنیک Bulk-driven بهره حلقه باز 05.5 دسی-بل، پهنای باند بهره واحد 5.8 کیلوهرتز و حاشیه فاز 25.8 درجه و توان مصرفی 96.3 نانو وات می باشد. نتایج حاصل ازشبیه سازی بیانگر این است که تکنیک DTMOS دارای بهره و پهنای باند بالاتری می باشد
کلیدواژه ها:
نویسندگان
هادی طاهرزاده
دانشگاه آزاد اسلامی واحد بندرعباس ، گروه مهندسی برق، بندرعباس، ایران،
علی تجویدی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد بندرعباس ، گروه مهندسی برق، بندرعباس، ایران،
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :