شبیه سازی و بررسی نسبت جریان روشن به خاموش در نانولوله های کربنی با پیوند شاتکی

سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 487

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

COMP02_037

تاریخ نمایه سازی: 14 مرداد 1394

چکیده مقاله:

در این مقاله ابتدا به بررسی نانولوله های کربنی با اتصالات شاتکی سورس و درین خواهیم پرداخت و شبیه سازیها به مدلی که اتصال فلز به نانولوله نیمه هادی میباشد محدود خواهد شد. در شبیه سازی ها ابتدا نمودار ولتاژ گیت-جریان درین نسبت به ارتفاع های مختلف سد شاتکی بررسی خواهد شد و همچنین نسبت جریان روشن به خاموش مدل ارایه شده نیز نسبت به تغییرات ارتفاع سد شاتکی بررسی خواهد شد و سپس تغییرات نسبت جریان روشن به خاموش با توجه به تغییر نسبت طول کانال به ضخامت اکسید بررسی خواهد شد و با توجه به نتایج مشخص خواهد شد که با افزایش این نسبت به 18 نسبت جریان روشن به خاموش بهبود خواهد یافت.

نویسندگان

امین قاسمی نژاد رائینی

دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات سیرجان، گروه مهندسی برق- الکترونیک، سیرجان، ایران

زهیر کرد رستمی

دانشگاه صنعتی شیراز، دانشکده مهندسی برق- الکترونیک، شیراز، ایران

مهران ابدالی

دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات سیرجان، گروه مهندسی برق- الکترونیک، سیرجان، ایران

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • زهرا عارفی نیا، علی اصغر اروجی، " یافته های نوین ...
  • در انتها می‌توان نتیجه گرفت با توجه به نتایج تجربی، ...
  • Chiyui Ahn and Mincheol Shin, Quantum Simulation of Coaxially Gated ...
  • Chiyui Ahn, Quantum Simulation of carbon nanotube field-effect transistor, AThesis ...
  • Shaahin G. Shirazi And Sattar Mirzakuchaki, High on/off ...
  • temperatures, Appl Phys A, 2013. ...
  • Kajari R. Agrawal, Shilpa M. Kottilingel, Reena Sonkusare And Dr. ...
  • _ _ _ _ H i gh -performance carbon nanotube ...
  • A. Raychowdhury, S. Mukhopadhyay, K. Roy, A Circuit- Compatible Model ...
  • A. Javey, J. Guo, D. B. Farmer, Q. Wang, E. ...
  • Ballistic transport in metallic nanotubes with reliabe Pd ohmic contacts, ...
  • H.-S. P. Wong, J. Appenzeller, V. Derycke, R. Martel, S. ...
  • Ashwani Kumar, Narottam Chand , Vinod Kapoor, A Compact Gate ...
  • R. Venugopal, Simulating quantum transport in nanoscale transistors: Real versus ...
  • D. Jimenez, A current-voltage model for Schottky-barrier _ Nanotechnology, vol. ...
  • A. Hazeghi, Schottky -barrier carbon nanotube field- effect transistor modeling, ...
  • N. H. Frank and L A. Young, Transmission of electrons ...
  • نمایش کامل مراجع