بهبود بازده بهینه سازی سلول های خورشیدی لایه نازک CIGS بااستفاده از تغییرمشخصات لایه جاذب

سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,065

فایل این مقاله در 16 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

CRSTCONF01_080

تاریخ نمایه سازی: 27 اسفند 1394

چکیده مقاله:

سلول خورشیدی لایه نازک CIGS ترکیب محلول جامد مس ایندیوم سلنید ) - - CIS ( و مس گالیوم –سلنید – CGS) ( نوعی نیمه هادی I-III-VI2 می باشد که به دلیل پایداری بالا و بند گپ مستقیم،یکی از بهترین گزینه ها برای جانشینی سلول خورشیدی سیلیکونی است، همچنین در بین سایر سلولهای خورشیدی لایه نازک ،بازده بالاتر و قیمت پایین تری را دارا می باشد.در این مقاله با استفاده از نرم افزار AMPS(Analysis Of Microelectronic and Photonic Structures) ،ابتدا تاثیرسه عامل عمده ی ضخامت ، چگالی ناخالصی و بندگپ لایه جاذب که مهمترین لایه در سلول خورشیدی میباشد را بر روی پارامترهای خروجی و از جمله بازده بررسی می کنیم.سپس در ادامه برای اولین بار به ارائه دو راهکار مهم جهت بهبود بازده سلول خورشیدی لایه نازک CIGC می پردازیم.لایه های این نوع- سلول خورشیدی عبارتند از: 1 TCO از جنس ZnO )اکسید روی( 2 لایه دریچه ای - CdS )کادمیوم سولفات( با ناخالصی نوع n 3 لایه جاذب - ، CIGS با ناخالصی نوع p 4 لایه مولیبدن 5 زیر لایه شیشه - - ،ای از جنس Soda .کاهش ضخامت لایه جاذب باعث می شود سطح اتصال پشتی به ناحیه تخلیه نزدیکترشودو بدلیل جذب الکترون ها به سطح اتصال پشتی و شرکت آنها در پدیده بازنرکیب،و ، و FF وبازده کوانتومی )(QE کاهش می یابد.با افزایش چگالی ناخالصی لایه جاذب ، بازده از %2933322 به 2133.21 % و با افزایش بندگپ لایه جاذب که در نتیجه افزایش میزان گالیم در سلولCIGS است ،بازده را به 2632222 % بهبود می یابدو میزان بازده کوانتومی ) QE ( دو برابر می شود.در ادامه با ارایه روشی جهت کاهش بازترکیب در فصل مشترک جاذب / اتصال نهایی به وسیله اضافه کردنیک لایه اضافی از جنس لایه جاذب ولی با ناخالصی بیشتر، به بازده 3431512 % دست می یابیم که نسبت به قبل به میزان 532242 % بهبود یافته است. در مرحله آخر برای اولین بار با افزایش بندگپ لایهCIGS .) % اضافی ، بازده را به میزان 336561 % بهبود بخشیدیم ) 3639923 سلول خورشیدی مرجع در این پایان نامه سلولی با و % 284.. و 88 FF= % و 8942202 = می باشد.

کلیدواژه ها:

سلول خورشیدی لایه نازک CIGS ، لایه جاذب ، بهبود بازده ، بازده کوانتومی QE ، بازترکیب

نویسندگان

زهرا محمدی

دانشگاه آزاد اسلامی کرمان

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • .L.D.Partain, " Solar Cells and Their Applications' , Jobn Wiley ...
  • .Green, " SolarCells' , Prentice -Hall, .Inc , Englewood Cliffs, ...
  • .C _ Hu, R. M.White, " Solar Cells:From Basic to ...
  • C.Hua and C. Shen, 'Control of DC/DC Converter for Solar ...
  • M.A. S.Mosoum and H _ D ehbonei , "Theoretical and ...
  • W.S.M. Brooks n, S.J.C. Irvine, V. Barrioz, A.J. Clayton.Laser beam ...
  • measurements of Cd 1xZnxS/CdTe solar cells. , Solar Energy Materials ...
  • an-ع [7]Priyanka Singh n, N.M. Ravindra .Temperature dependence of solar ...
  • Yuguo Tao a, n, Sergey Varlamov a, Oliver Kunz b, ...
  • J.Malmstrom, _ Generation and Recombination in Cu(In, Ga)Se2 thin films ...
  • H. W. Schock, J. _ Werner, Back surface band gap ...
  • O. Lundberg, M. Edoff, L. Stolt, "The effect of Ga-grading ...
  • نمایش کامل مراجع