یک سنسور فشار تشدیدی میکروالکترومکانیکی با دو مد ارتعاشی

سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 411

فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

CRSTCONF02_075

تاریخ نمایه سازی: 21 شهریور 1395

چکیده مقاله:

در این مقاله یک سنسور فشار تشدیدی با دو مد ارتعاشی طولی و موجی گزارش میشود. این سنسور ازجنس سیلیکون بوده و براساس تکنولوژی MEMS طراحی شده است و در دو مد طولی و موجی دارایفرکانس تشدید میباشد. با اعمال فشار به ساختار، فرکانس تشدید آن تغییر میکند. مد موجی به فشار حساس بوده ولی مد طولی در برابر اعمال فشار از تغییر فرکانس تشدید کمتری برخودار است. ابعاد کلیساختار μm × 02 μm × 02 μm 022 و ابعاد غشاء حساس به فشار μm × 02 μm × 0 μm 022 در نظر گرفته شده است. فرکانس ارتعاش مد موجی بیست و پنجم در دو غشاء برابر با MHz 991/0192 وفرکانس ارتعاش مد طولی سوم برابر با MHz 902/2090 بوده و جابهجایی فرکانسی مد موجی MHz 0/0401 و برای مد حجمی این جابهجایی برابر MHz 2/290 میباشد. این سنسور در محیط نرمافزار ANSYS طراحی و شبیه سازی شده است.

نویسندگان

حسن کمالی

گروه مهندسی برق، واحد بندرعباس، دانشگاه آزاد اسلامی، بندرعباس، ایران

فرشاد بابازاده

استادیار گروه الکترونیک، دانشکده مهندسی برق، واحد یادگار امام خمینی (ره) شهر ری، دانشگاه آزاد اسلامی، تهران، ایران

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • Eaton W. P. (1997), _ _ M icromachined pressure sensors: ...
  • Chiang C. F. (2013), "Resonant pressure sensor with onchip temperature ...
  • Tabrizian R. and Ayazi F. (2013), _ Ac oustic al ...
  • Blake W. K. (1974), "The radiation from free-free beams in ...
  • نمایش کامل مراجع