مدلسازی دو بعدی پتانسیل کانال در ترانسیستورهای ماسفت دو گیتی متقارن کانال کوتاه در حضورحاملهای بار متحرک کانال

سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 517

فایل این مقاله در 12 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

DCEAEM01_164

تاریخ نمایه سازی: 18 دی 1393

چکیده مقاله:

بادرنظرگرفتن اثرات حاملهای متحرک براساس تابع توزیع ماکسول بولتزمن و معادله پواسون یک بعدی معادله دیفرانسیل برای توزیع بارالکتریکی درون کانال ترانزیستور ماسفت دوگیتی بدست می آید ازحل این معادله رابطه ای تحلیلی برای پتانسیل یک بعدی کانال درامتداد مسیرعمود برکانال بدست می آید سپس با استفاده ازروش تحلیل مدناپایداربه همراه تقریب سهمی پتانسیل کانال ترانزیستور دردو بعد محاسبه میشود براساس این روش پتانسیل بامجموع دومولفه یک بعدی و دوبعدی بیان میشود مولفه یک بعدی همان مولفه محاسبه شده درجهت عمود برکانال با درنظرگرفتن حاملهای متحرک است مولفه دوبعدی ازحل معادله لاپلاس دوبعدی بدست می آید و اثرات میدان افقی رادرکانال درنظر میگیرد ازآنجا که اثرحاملهای متحرک درمعادله پواسون وارد شده است رابطه پتانسیل به دست آمده برای همه شرایط کاری ترانزیستورزیراستانه تاتخلیه صادق است ودرتمام نقاط کانال معتبر بوده و به پتانسیل نواحی خاص مانند سطح و مرکزوابسته نمی باشد

نویسندگان

لیلا باقری

کارشناسی ارشد مهندسی برق الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات یزد- دانشکده مهندسی-گروه برق- یزد-

سیدامیر هاشمی

استادیار، دانشگاه شهرکرد-گروه مهندسی برق- شهرکرد-ایران

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • Coling J. P., 2004, Multiple-gate SOI MOSFETs, Solid State Electron, ...
  • Lime F., Santana E and Iniguez, B, 2013, A simple ...
  • Kumari V., Saxena M., Gupta .R.S and Gupta M., 2014. ...
  • Ts ormpatzoglou A., Pappas I., Tassis .D.H, Dimitriadis. C.A and ...
  • Woo J.H., Choi J.M. and Cho Y.K., 2013, Analytical threshold ...
  • Gnudi A., Reggiani S., Gnani E and Baccarani, G. 2013, ...
  • subthreshold current in sho rt-channel junctionless symmetric Double-Gate Field-Effect Transistors, ...
  • Chiang T.K, 2012, A quas i- two -dimensional threshold voltage ...
  • Tanaka K.T., Tosaka Y. H., Horie and Arimot Y.o., 1993, ...
  • Chiang .T.K., 2005, A new scaling theory fo r fu ...
  • Shankar R., Kaushal G., Maheshwaram S., Dasgupta S and Manhas ...
  • Chiang T.K., 2009, A new two -dimensional subthreshold behavior model ...
  • Kumari V., Saxena M., Gupta R.S., and Gupta M., 2014, ...
  • He J.et al., 2007, A Carrier-Based Approach for Compact Modeling ...
  • Mohammadi S., Afzali-Kusha A., Mohammadi S., 2011, Compact modeling of ...
  • Abd El Hamid H., Guitart . J.R and Inguez B., ...
  • ATLAS user s manual, Silvaco. Inc., Santa Clara, CA, USA, ...
  • نمایش کامل مراجع