معرفی یک ساختاراصلاح شده برای ترانزیستورنانولوله کربنی ماسفتی

دراین مقاله بااستفاده ازروش تابع گرین غیرتعادلی NEGF ویژگیهای ترانزیستورهای اثرمیدانی نانولوله های کربنی CNTFETs مورد بررسی قرارمیگیرد جریان نشتی حاصل ازتونل زنی باند به باند و رفتارشبه دوقطبی ازاثرات شناخته شده برای افزاره های CNTFET می باشند برای به حداقل رساندن این پدیده ها ساختاراصلاح شده ای ارایه میشود که چگالی نواحی سورس و درین این ترانزیستور با پیشروی به سوی کانال ذاتی بطور پلکانی کاهش می یابد ساختارپیشنهادی نسبت به ساختار موجود توان تلفاتی درزمان کلیدزنی کمتری را ازخود نشان میدهد ضمن اینکه سایرمشخصات روشنایی و خاموشی آن تقریبا دست نخورده باقی می ماند لذا این افزاره را میتوان درکاربردهای توان پایین مورداستفاده قرارداد درادامه تاثیر عوامل مختلف برروی رفتارافزاره و مقادیر بهینه آن ها مانند تغییرات طول کانال کایرالیتی ثابت دی الکتریک و تغییرات طول گیت مورد بررسی قرارگرفت

کلیدواژه ها:

تونل زنی نوار به نوار ، نانولوله های کربنی ، تابع گرین غیرتعادلی ، توان تلفاتی کلیدزنی ، تاخیرکلیدزنی ترانزیستور نانولوله کربنی