ورود
مقالات فارسیISIکنفرانسهاژورنالها

بهینه سازی ترانزیستورهای نانولوله کربنی برای کاربردهای فرکانس بالا

محل انتشار: دومین کنفرانس سراسری توسعه محوری مهندسی عمران ، معماری ، برق و مکانیک ایران
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 520

فایل این مقاله در 14 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:
https://civilica.com/doc/432591

شناسه ملی سند علمی:

DCEAEM02_014

تاریخ نمایه سازی: 30 بهمن 1394

چکیده مقاله:

در این مقاله، با استفاده از روش تابع گرین غیرتعادلیNEGF رفتار فرکانس بالا ترانزیستورهای اثر میدانی نانولولهها ی کربن ی CNTFETs مورد بررسی قرار می گیرد. و پارامترهای مهم عملکرد فرکانس بالا، مانند خازن گیت

کلیدواژه ها:

نویسندگان

مریم میراصانلوزیدی

دانشجوی کارشناسی ارشد دانشکده فنی مهندسی واحدنور دانشگاه آزاد اسلامی نور ایران

رضا یوسفی

استادیار دانشکده فنی مهندسی واحدنوردانشگاه آزاد اسلامی نور ایران

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • A.E., Kim, J., Kim, J-h., Yeo, W-H., Joon Lee, D., ...
  • Chen, Li., Pulfrey, D.L, "Comparison of p-i-n and n-i-n carbon ...
  • Guo, S. Datta, M. Lundstrom, M.P. Anantam, Toward Multiscale Modeling ...
  • Balci, O., Kocabas, C., "High frequency performance of individual and ...
  • Alam, K., Lake, R., "Performance of 2nm gate length carbon ...
  • nanotube field-effect transistor wit source/drain underlaps", J Appl Phys, 2006, ...
  • Pulfrey, D.L., Chen, L., "Exammination of the h igh-frequency capability ...
  • Pourfath, M., Kosina, H., Cheong, BH., Park, WJ, Selberherr, S., ...
  • Guo, S. Datta, M.P. Anantram, M. Lundstrom, Atomistic simulation of ...
  • S. Datta, Electronic transport in mesoscopic systems, Cambridge University Press, ...
  • M.P. Anantram, M.S. Ludstrom, D.E. Nikonov, Modeling of Nanoscale Devices, ...
  • Y. Youngki, J. Guo, Y. Yoon, Analysis of Strain Effects ...
  • Zhibin Ren, NANOSCAL MOSFETS : PHYSICS , SIMULATION AND DESIGN, ...
  • K. Alam and R K. Lake, "Dielectric scaling of a ...
  • U. Monga, H. Bqrli, and T. A. Fjeldly, "Compact subthreshold ...
  • Zoheir Kordrostami and Mohammad Hossein Sheikhi (2010). Fundarmenta Physical Aspects ...
  • Yoon, Y. and Ouyang, Y. (2007). Gate Electrostatics and Quantum ...
  • Yu, Z., Rutherglen, C. and Burke, P. 1. (2006). Microwave ...
  • Guo, J., Hasan, S., Javey, A., Bosman, G. and Lundstrom, ...
  • Burke, P. J. (2004). AC performance of nanoelectron ics: towards ...
  • Yoon, Y., Yijian, O. and Jing, G. (2006). Effect of ...
  • Kordrostami, Z. and Sheikhi, M. H. (2009). High Speed Switching ...
    • نمایش کامل مراجع