طراحی تقویت کننده های فوق توان پایین کارآمد مبتنی بر تکنولوژی CMOS 09 نانومتر
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 413
فایل این مقاله در 13 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
DCEAEM02_030
تاریخ نمایه سازی: 30 بهمن 1394
چکیده مقاله:
دراین مقاله هدف طراحی یک تقویت کننده توان پایین با پارامتر های قابل تنظیم برای کاربرد در سیستمهای بایو 1 است. قابلیت توان پایین ، سرعت بالا و نویز پذیری پایین از مهمترین مشخصات تقویت کنندهای بایو در تکنولوژی CMOS محسوب میشود. نتایج شبیه سازی تقویت کننده پیشنهادی در تکنولوژی 09 نانومترنشان میدهد که شاخص های کارآیی تقویت کننده از جمله سرعت ، توان مصرفی، فرکانس قطع پایین و بهره در مقایسه با دیگر تکنولوژی ها از کارآیی بهتری برخوردار است. نتایج حاصل از شبیه سازی در تکنولوژی 09 نانو بهبود فرکانس بهره واحد 621 CMRR به میزان 622321 % و کاهش مصرف رابه میزان 3132 در مقایسه با تکنولوژی 9321 میکرومتر نشان میدهد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
علی عالی
دانشجوی کارشناسی ارشد
مهدی پیرمرادیان
استاد یار دانشگاه آزاد اسلامی
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :