طراحی گیت سه پارچه برای ترانزیستور اثر میدانی آلی به منظور بهبود مشخصه جریان- ولتاژ

در این مقاله طراحی جدیدی برای ترانیستورهای ارگانیکی ارائهگردیده و مشخصه جریان- ولتاژ آن مورد مطالعه قرار گرفته است. در این طراحی گیت ترانزیستور به سه قسمت تبدیل گردیده است. برایاین منظور ضخامت لایه اکسید از حالت یکنواخت خارج گردیده و درقسمت زیر گیت نازک تر شده است. به این ترتیب فاصله قسمتوسط گیت تا کانال ماسفت ارگانیک کاهش یافته و در نتیجه بارهایدرون کانال بیشتر تحت کنترل گیت می باشند. علاوه بر این میتوان به کانال یک ولتاژ تقریبا ثابت نسبت داد و این از ویژگی هاییک ماسفت خوش رفتار می باشد. ساختار پیشنهادی دارای یکگیت سه پارچه است. محاسبه جریان نشان می دهد که استفاده ازیک ساختار گیت سه پارچه افزایش جریان حالت روشن، کاهش ولتاژآستانه و کاهش سویینگ زیر آستانه را به دنبال دارد. همچنین پیشبینی می شود خازن های پارازیتیک نسبت به حالتی که کل اکسیدبه صورت یکنواخت نازک شود، کاهش یافته و فرکانس قطع بالاتریمی دهد.

کلیدواژه ها:

ترانزیستور ارگانیکی ، ساختار سه گیتی ، جریان درین ، ولتاژ آستانه