تحلیل ساختاری تزانزیستور های اثر میدانی براساس نانو لوله های کربنی (CNTFET)
سال انتشار: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 683
فایل این مقاله در 12 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ECICONFE01_100
تاریخ نمایه سازی: 8 آذر 1396
چکیده مقاله:
با توجه به افزایش روز افزون نیاز به تراشه ھایی با ابعاد کوچک تر، استفاده از فناوری ھای جدید در ساخت ترانزیستورھا به عنوان جزء اصلی تراشه ھا ضروری به نظر می رسد. نانو تکنولوژی و الکترونیک مولکولی روشی نوین برای ساخت ترانزیستورھا در ابعاد کوچک است. در این مقاله ابتدا ساختار الکترونی، خصوصیات مکانیکی و الکتریکی و ھمچنین روش ھای ساخت نانو لوله ھای کربن بررسی می شود. سپس ترانزیستورھای اثر میدان نانو لوله کربن به لحاظ ساختار ھندسی روش ھای ساخت و پیاده سازی و ھمچنین نحوه عملکرد مورد بحث قرار می گیرند. در ادامه ویژگی ھای آن ھا با خصوصیات ترانزیستورھای اثر میدان سیلیکونی کنونی مقایسه می شود.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
مهدی رحیمی
دانشجوی کارشناسی مهندسی برق موسسه آموزش عالی چهلستون