بهبود بهره و خطسانی تقویت کننده CMOS با ساختار توزیع شده

سال انتشار: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 397

فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ELCM02_078

تاریخ نمایه سازی: 21 اردیبهشت 1397

چکیده مقاله:

در این مقاله به منظور بهبود همزمان بهره و خطسانی، تقویت کننده توزیع شده CMOS مبنی برسلول بهره جدید ارایه شده است. سلول بهره پیشنهاد شده ترکیب متوالی از یک تقویت کننده سورس مشترک و ساختار پوش پول می باشد. استفاده از ساختار پوش پول باعث افزایش چشمگیر اینترمدلاسیون مرتبه سوم (IIP3) شده است. افزایش بهره نیز به دلیل ترکیب متوالی دو تقویت کننده می باشد. تقویت کننده توزیع شده پیشنهادی در فناوری 0.13μm با نرم افزار ADS شبیه سازی شده است. نتایج شبیه سازی نشان می دهند که تقویت کننده توزیع شده پیشنهادی در پهنای باند DC-13GHz دارای بهره مسطح 23dB و اینترمدلاسیون مرتبه سوم 7dBm می باشد. تلفات بازگشتی ورودی و تلفات بازگشتی خروجی به ترتیب کمتر از 20dB- و 7dB- می باشند. عدد نویز این معماری کم تر از 4.2dB است.

کلیدواژه ها:

تقویت کننده توزیع شده ، تقویت کننده پهن باند ، بهبود خطسانی ، بهره بالا

نویسندگان

فاطمه بخردی نسب

کارشناسی ارشد، دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر،دانشگاه تحصیلات تکمیلی صنعتی و فناوری پیشرفته کرمان

احمد حکیمی

دانشیار،دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه شهید باهنر کرمان

زینب بهاروند

دانشجوی دکتری، دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر،دانشگاه زنجان